为了增加氧化铈的抛光速度，通常在氧化铈抛光粉加入氟以增加磨削率。铈含量较低的混合稀土抛光粉通常掺有3－8的氟；纯氧化铈抛光粉通常不掺氟。

对ZF或F系列的玻璃来说，因为本身硬度较小，而且材料本身的氟含量较高，因此选用不含氟的抛光粉为好。

性能特点： 1、光泽度高，可达100度以上，超出新出厂石材的标准。 2、硬度高，不易划伤，一般硬物（或自然行走）不会对石材造成磨损。 3、均匀、平整、光滑、天然、清澈，有镜面感觉，显现石材天然色泽。 4、表面干爽，不吸附尘埃，尘埃沙粒仅停留在表面，易彻底清理。 5、还具有防滑、防污效果。 适用范围：特特别适用于一些比较难处理的大理石，如：洁士白、大花绿等石材。大理石面板、墙壁的清洗、增亮、防护处理。晶面处理后石材表面的日常维护处理。

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

氧化铈抛光液

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。